IXFK90N30
Numărul de produs al producătorului:

IXFK90N30

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFK90N30-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 300V 90A TO-264
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 90A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventar:

12908970
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXFK90N30 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
560W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264AA (IXFK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK90

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IXFK140N30P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
202
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFK140N30P-DG
PREȚ UNIC
13.24
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFBF20STRLPBF

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

littelfuse

IXFT26N60P

MOSFET N-CH 600V 26A TO268

vishay-siliconix

IRF730SPBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRFD310PBF

MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP