IXFT26N60P
Numărul de produs al producătorului:

IXFT26N60P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFT26N60P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 26A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventar:

12908997
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXFT26N60P Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4150 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
460W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268AA
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT26

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRF730SPBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRFD310PBF

MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP

vishay-siliconix

IRFIBC40GLCPBF

MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3

vishay-siliconix

IRFU9120PBF

MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA