Numărul de produs al producătorului:
IXTQ76N25T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTQ76N25T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 76A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 76A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
2 Piese Noi Originale În Stoc
12820993
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTQ76N25T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Trench
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
460W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXTQ76
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDA69N25
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
800
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDA69N25-DG
PREȚ UNIC
2.23
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXT-1-1N100S1-TR
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
IXTQ120N20P
MOSFET N-CH 200V 120A TO3P
IXFP90N20X3
MOSFET N-CH 200V 90A TO220