Numărul de produs al producătorului:
IXT-1-1N100S1-TR
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXT-1-1N100S1-TR-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc)
Inventar:
12820994
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXT-1-1N100S1-TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-
Tip de montare
-
Pachet dispozitiv furnizor
-
Pachet / Carcasă
-
Numărul de bază al produsului
IXT-1
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTQ120N20P
MOSFET N-CH 200V 120A TO3P
IXFP90N20X3
MOSFET N-CH 200V 90A TO220
IXTP34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
