Numărul de produs al producătorului:
FDA69N25
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDA69N25-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
800 Piese Noi Originale În Stoc
12850654
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDA69N25 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
UniFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 34.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4640 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
480W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PN
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FDA69
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FDA69N25-OS
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQD10N20CTM_F080
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
HUF75623P3
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
IRLR130ATM
MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
