Numărul de produs al producătorului:
IXTP2N60P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP2N60P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 2A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12821240
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP2N60P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
Polar™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
240 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
55W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTP2N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
67
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP2N65X2-DG
PREȚ UNIC
1.11
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTK33N50
MOSFET N-CH 500V 33A TO264
IXFA3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXFB300N10P
MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
