Numărul de produs al producătorului:
IXTP2N65X2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP2N65X2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 2A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
67 Piese Noi Originale În Stoc
12912003
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP2N65X2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
55W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRC630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-5
SI4448DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 50A 8SO
IXTP460P2
MOSFET N-CH 500V 24A TO220AB
