IXFA3N120
Numărul de produs al producătorului:

IXFA3N120

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFA3N120-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)

Inventar:

RFQ Online
12821245
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXFA3N120 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1050 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263AA (IXFA)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXFA3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
IXFA3N120, IXFP3N120

Informații suplimentare

Alte nume
-IXFA3N120
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
littelfuse

IXFB300N10P

MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264

littelfuse

IXFH340N075T2

MOSFET N-CH 75V 340A TO247AD

littelfuse

IXTQ72N30T

MOSFET N-CH 300V 72A TO3P

littelfuse

IXFT80N085

MOSFET N-CH 85V 80A TO268