IXTP1N80P

Numărul de produs al producătorului:

IXTP1N80P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTP1N80P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 800V 1A TO220AB

Descriere detaliată:

N-Channel 800 V 1A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

RFQ Online

12821087

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTP1N80P Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

Polar

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

800 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

1A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

14Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 50µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

9 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

250 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

42W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-220-3

Pachet / Carcasă

TO-220-3

Numărul de bază al produsului

IXTP1

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTH30N50P

MOSFET N-CH 500V 30A TO247

littelfuse

IXTA1N80

MOSFET N-CH 800V 750MA TO263

littelfuse

IXFN170N30P

MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

littelfuse

IXFT50N85XHV

MOSFET N-CH 850V 50A TO268