Numărul de produs al producătorului:
IXFT50N85XHV
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT50N85XHV-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 850V 50A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 850 V 50A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Inventar:
779 Piese Noi Originale În Stoc
12821095
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT50N85XHV Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
850 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4480 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268HV (IXFT)
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFE44N50QD3
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
IXFR24N90Q
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
IXCP01N90E
MOSFET N-CH 900V 250MA TO220AB
