Numărul de produs al producătorului:
IXCP01N90E
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXCP01N90E-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 250MA TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 250mA (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12821099
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXCP01N90E Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
250mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
80Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
133 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXCP01
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFX260N17T
MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247-3
IXFH20N60Q
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
IXFT30N50
MOSFET N-CH 500V 30A TO268