IXTA1N80

Numărul de produs al producătorului:

IXTA1N80

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTA1N80-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 800V 750MA TO263

Descriere detaliată:

N-Channel 800 V 750mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Inventar:

RFQ Online

12821090

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXTA1N80 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

800 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

750mA (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

11Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 25µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

8.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

220 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

40W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-263AA

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numărul de bază al produsului

IXTA1

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXFN170N30P

MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

littelfuse

IXFT50N85XHV

MOSFET N-CH 850V 50A TO268

littelfuse

IXFE44N50QD3

MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B

littelfuse

IXFR24N90Q

MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247