Numărul de produs al producătorului:
IXFX120N20
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFX120N20-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
12821288
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFX120N20 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
560W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS247™-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3 Variant
Numărul de bază al produsului
IXFX120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IFX120N20
IXFX120N20-NDR
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP90N20DPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
574
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP90N20DPBF-DG
PREȚ UNIC
3.02
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFX170N20P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX170N20P-DG
PREȚ UNIC
16.10
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH18N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
IXTN17N120L
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
IXTT68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO268
