Numărul de produs al producătorului:
IXFH18N100Q3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH18N100Q3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 18A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventar:
12821289
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH18N100Q3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Q3 Class
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4890 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
830W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD (IXFH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH18
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW12N120K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
8
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW12N120K5-DG
PREȚ UNIC
5.41
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STW10N95K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
466
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW10N95K5-DG
PREȚ UNIC
1.98
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTN17N120L
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
IXTT68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO268
IXFX44N55Q
MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247-3
