Numărul de produs al producătorului:
IXTN17N120L
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTN17N120L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 15A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12821293
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTN17N120L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Linear
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 8.5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
540W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXTN17
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTT68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO268
IXFX44N55Q
MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247-3
IXTP36P15P
MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB
