Numărul de produs al producătorului:
IXFP5N100PM
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFP5N100PM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 2.3A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventar:
207 Piese Noi Originale În Stoc
12820939
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFP5N100PM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1830 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Isolated Tab
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
IXFP5N100
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTP180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB
IXTY1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
IXTP230N075T2
MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
