Numărul de produs al producătorului:
IXFK100N65X2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFK100N65X2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 100A TO264
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 100A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264
Inventar:
22 Piese Noi Originale În Stoc
12820943
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFK100N65X2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1040W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK100
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IXFK100N65X2XINACTIVE
IXFK100N65X2X
IXFK100N65X2X-DG
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXKH20N60C5
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
IXFN48N50U3
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
IXFC16N80P
MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
