Numărul de produs al producătorului:
IXTY1R6N50D2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTY1R6N50D2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12820941
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTY1R6N50D2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Depletion
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23.7 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
645 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IXTY1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXTY1R6N50D2-CRL
Q16282632
Pachet standard
70
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTP230N075T2
MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
IXFK100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A TO264
IXKH20N60C5
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
