Numărul de produs al producătorului:
IXFN21N100Q
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN21N100Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12820653
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN21N100Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™, Q Class
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
520W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN21
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFN32N100Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
8
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN32N100Q3-DG
PREȚ UNIC
46.94
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA48N20T
MOSFET N-CH 200V 48A TO263
IXFH26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
IXFT26N100XHV
MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV
