Numărul de produs al producătorului:
IXFT26N100XHV
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT26N100XHV-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 26A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Inventar:
23 Piese Noi Originale În Stoc
12820656
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT26N100XHV Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
860mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268HV (IXFT)
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT26
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-1402-IXFT26N100XHV
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFR14N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 9.5A ISOPLS247
IXTX120N65X2
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
IXFV36N50PS
MOSFET N-CH 500V 36A PLUS-220SMD
