Numărul de produs al producătorului:
IXFE180N10
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFE180N10-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 176A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 176A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12820663
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFE180N10 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
176A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFE180
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFN50N120SIC
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
IXFP30N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
IXTQ110N055P
MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
