Numărul de produs al producătorului:
IXFN50N120SIC
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN50N120SIC-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
15 Piese Noi Originale În Stoc
12820664
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN50N120SIC Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 10mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 1000 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFP30N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
IXTQ110N055P
MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
IXFH36N55Q
MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD
