Numărul de produs al producătorului:
IXFK52N100X
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFK52N100X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 52A TO264
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 52A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264
Inventar:
12821082
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFK52N100X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
245 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6725 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK52
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH75N10Q
MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
IXTP1N80P
MOSFET N-CH 800V 1A TO220AB
IXTH30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A TO247
