Numărul de produs al producătorului:
IXFK32N80P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFK32N80P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 32A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventar:
12821596
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFK32N80P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
830W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264AA (IXFK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK32
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
APT38F80B2
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
37
DiGi NUMĂR DE PARTE
APT38F80B2-DG
PREȚ UNIC
13.93
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTK20N150
MOSFET N-CH 1500V 20A TO264
IXTT100N25P
MOSFET N-CH 250V 100A TO268
IXFT18N90P
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
