APT38F80B2
Numărul de produs al producătorului:

APT38F80B2

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APT38F80B2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventar:

37 Piese Noi Originale În Stoc
13251868
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT38F80B2 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8070 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1040W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
T-MAX™ [B2]
Pachet / Carcasă
TO-247-3 Variant
Numărul de bază al produsului
APT38F80

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
APT38F80(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

Informații suplimentare

Alte nume
APT38F80B2MI-ND
APT38F80B2MI
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microchip-technology

APT5018SLLG

MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK

microchip-technology

APT26M100JCU3

MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

microchip-technology

APT5020SVFRG

MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK

microchip-technology

APT10M19SVFRG

MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK