Numărul de produs al producătorului:
IXFT18N90P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT18N90P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 18A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventar:
12821602
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT18N90P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
97 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5230 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
540W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268AA
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT18
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFT24N90P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
510
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFT24N90P-DG
PREȚ UNIC
10.92
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA05N100
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
IXFV26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
IXFP80N25X3
MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
