Numărul de produs al producătorului:
IXFN150N15
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN150N15-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 150A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12821609
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN150N15 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
600W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN150
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
Q3181657
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFN180N15P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
1665
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN180N15P-DG
PREȚ UNIC
16.97
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTY1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
IXTA100N04T2
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
IXFN340N07
MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
