Numărul de produs al producătorului:
IXTP06N120P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP06N120P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 600mA (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
69 Piese Noi Originale În Stoc
12821620
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP06N120P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
600mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
32Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP06
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-IXTP06N120P
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTH32N65X
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
IXTP10N60PM
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
IXFH120N30X3
MOSFET N-CH 300V 120A TO247
