Numărul de produs al producătorului:
IXFK26N100P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFK26N100P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 26A TO264AA
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 26A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventar:
12819178
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFK26N100P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
197 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
780W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264AA (IXFK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK26
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
APT29F100B2
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
37
DiGi NUMĂR DE PARTE
APT29F100B2-DG
PREȚ UNIC
14.03
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFP34N65X2M
MOSFET N-CH 650V 34A TO220
IXFK48N60Q3
MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
IXTH80N20L
MOSFET N-CH 200V 80A TO247
