Numărul de produs al producătorului:
IXFH120N25T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH120N25T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventar:
12819898
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH120N25T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Trench
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD (IXFH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP4768PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2632
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP4768PBF-DG
PREȚ UNIC
3.59
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTT240N15X4HV
MOSFET N-CH 150V 240A TO268HV
IXFQ34N50P3
MOSFET N-CH 500V 34A TO3P
IXTV26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
