Numărul de produs al producătorului:
IXTA1N100
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTA1N100-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventar:
12819906
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTA1N100 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
54W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263AA
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXTA1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTA1R4N100P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
20
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA1R4N100P-DG
PREȚ UNIC
1.38
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFL70N60Q2
MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
IXTA15N50L2
MOSFET N-CH 500V 15A TO263
IXTP120N075T2
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
