Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXTP120N075T2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTP120N075T2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
44 Piese Noi Originale În Stoc
12819909
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTP120N075T2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
TrenchT2™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4740 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IXTP120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IXTP120N075T2-DG
Fișe tehnice
IXTP120N075T2
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFB3307ZPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1731
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB3307ZPBF-DG
PREȚ UNIC
0.99
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
DMT6005LCT
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMT6005LCT-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
AUIRF3205Z
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2535
DiGi NUMĂR DE PARTE
AUIRF3205Z-DG
PREȚ UNIC
1.31
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK4R3E06PL,S1X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
177
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK4R3E06PL,S1X-DG
PREȚ UNIC
0.51
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
DMT6010SCT
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
47
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMT6010SCT-DG
PREȚ UNIC
0.48
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTH140N075L2
MOSFET N-CH 75V 140A TO247
IXTP8N50P
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
IXFN180N20
MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
IXFK32N60
MOSFET N-CH 600V 32A TO264AA