Numărul de produs al producătorului:
IXFQ34N50P3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFQ34N50P3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 34A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 34A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
300 Piese Noi Originale În Stoc
12819901
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
jX5j
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFQ34N50P3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3260 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
695W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXFQ34
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-IXFQ34N50P3
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTV26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
IXTA1N100
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
IXFL70N60Q2
MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264