Numărul de produs al producătorului:
IRLR8103TR
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRLR8103TR-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 89A (Ta) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventar:
12807915
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRLR8103TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
89A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
89W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD50N03S2L06ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2378
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD50N03S2L06ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.66
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDD6670A
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
11312
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDD6670A-DG
PREȚ UNIC
0.42
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDD8896
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
926093
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDD8896-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPP04N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3
SPP35N10
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3
SPB80N03S2L-03 G
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3