Numărul de produs al producătorului:
SPP80P06PBKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPP80P06PBKSA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12807940
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPP80P06PBKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5033 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
340W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SPP80P
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SPP80P06PIN
SPP80P06PX
SP000012840
SPP80P06PXK
SPP80P06PIN-NDR
SPP80P06PIN-DG
SPP80P06P
SPP80P06PXTIN
SPP80P06PXTIN-DG
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SPP80P06PHXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5150
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPP80P06PHXKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.67
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPB80N03S203GATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
SPP18P06PHKSA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
IRL1104L
MOSFET N-CH 40V 104A TO262
