Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPD50N03S2L06ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD50N03S2L06ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
2378 Piese Noi Originale În Stoc
12801209
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD50N03S2L06ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 85µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-11
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPD50N03S2L06ATMA1-DG
Fișe tehnice
IPD50N03S2L06ATMA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPD50N03S2L06ATMA1CT
INFINFIPD50N03S2L06ATMA1
SP000254461
2156-IPD50N03S2L06ATMA1
IPD50N03S2L-06
IPD50N03S2L-06-DG
IPD50N03S2L06ATMA1TR
IPD50N03S2L06ATMA1DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFR3709ZTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5910
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFR3709ZTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.30
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFR3504ZTRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
13404
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFR3504ZTRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.50
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRLR8726TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
43252
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRLR8726TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.17
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFR3709ZTRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
11441
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFR3709ZTRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.30
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB100N04S4H2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
IPD05N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPP50R299CPHKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3