Numărul de produs al producătorului:
IRL3303S
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRL3303S-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 38A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12807910
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRL3303S Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRL3303S
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPD02N50C3BTMA1
LOW POWER_LEGACY
IRLR8103TR
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
SPP04N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3