Numărul de produs al producătorului:
SPD02N50C3BTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPD02N50C3BTMA1-DG
Descriere:
LOW POWER_LEGACY
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-311
Inventar:
12807912
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPD02N50C3BTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
190 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-311
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SPD02N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-SPD02N50C3BTMA1-ITTR
SP000313942
INFINFSPD02N50C3BTMA1
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD60R1K5CEAUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
25223
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD60R1K5CEAUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR8103TR
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
SPP04N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3
SPP35N10
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3
