IRFI1310N
Numărul de produs al producătorului:

IRFI1310N

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFI1310N-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 24A (Tc) 56W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Inventar:

12805913
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRFI1310N Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
56W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack

Fișa de date și documente

Resurse de proiectare
Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
*IRFI1310N
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRFI1310NPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1018
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFI1310NPBF-DG
PREȚ UNIC
0.70
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRFS4010TRL7PP

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK

infineon-technologies

IRFU4105PBF

MOSFET N-CH 55V 27A IPAK

infineon-technologies

IRLS3813PBF

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

infineon-technologies

IRL3713PBF

MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB