Numărul de produs al producătorului:
IRFS4010TRL7PP
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFS4010TRL7PP-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
1183 Piese Noi Originale În Stoc
12805914
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFS4010TRL7PP Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9830 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
380W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Numărul de bază al produsului
IRFS4010
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001557352
IRFS4010TRL7PPTR
IRFS4010TRL7PPCT
IRFS4010TRL7PPDKR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFU4105PBF
MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
IRLS3813PBF
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
IRL3713PBF
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
