Numărul de produs al producătorului:
IRLS3813PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRLS3813PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 160A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12805917
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRLS3813PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 148A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8020 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
195W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001576946
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB270N4F3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
3013
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB270N4F3-DG
PREȚ UNIC
2.04
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRL3713PBF
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
IRFSL5615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A TO262
IRF8721PBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
