Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPW65R190E6FKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW65R190E6FKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventar:
RFQ Online
12805806
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW65R190E6FKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 730µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
151W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-1
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPW65R190E6FKSA1-DG
Fișe tehnice
IPW65R190E6FKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPW65R190E6-DG
2156-IPW65R190E6FKSA1-IT
IPW65R190E6
INFINFIPW65R190E6FKSA1
SP000863906
Pachet standard
240
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW28N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW28N60DM2-DG
PREȚ UNIC
1.76
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FCH190N65F-F155
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
415
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH190N65F-F155-DG
PREȚ UNIC
2.95
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STW30N80K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW30N80K5-DG
PREȚ UNIC
4.39
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK20N60W,S1VF
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
15
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK20N60W,S1VF-DG
PREȚ UNIC
2.83
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STW24N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
562
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW24N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.39
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
IRFS7440PBF
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
IRF630NSPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK