IRFP260NPBF
Numărul de produs al producătorului:

IRFP260NPBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFP260NPBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventar:

12055 Piese Noi Originale În Stoc
12805807
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRFP260NPBF Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4057 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IRFP260

Fișa de date și documente

Resurse de proiectare
Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
64-6005PBF-DG
64-6005PBF
*IRFP260NPBF
SP001552016
Pachet standard
25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRFS7440PBF

MOSFET N CH 40V 120A D2PAK

infineon-technologies

IRF630NSPBF

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

infineon-technologies

IRFR4615TRLPBF

MOSFET N-CH 150V 33A DPAK

infineon-technologies

IRFH6200TR2PBF

MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN