Numărul de produs al producătorului:
IRFH6200TR2PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFH6200TR2PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
12805811
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFH6200TR2PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 4.5 V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10890 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PQFN (5x6)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRFH6200TR2PBFTR
IRFH6200TR2PBFDKR
IRFH6200TR2PBFCT
Pachet standard
400
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SIR404DP-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
28137
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIR404DP-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.74
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR3706PBF
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRFS5615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
IRF1310NSTRR
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
