Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FCH190N65F-F155
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCH190N65F-F155-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
415 Piese Noi Originale În Stoc
12848196
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCH190N65F-F155 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3225 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
FCH190
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FCH190N65F-F155-DG
Fișe tehnice
FCH190N65F-F155
Informații suplimentare
Alte nume
FCH190N65F_F155-DG
FCH190N65F_F155
Pachet standard
450
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R180C7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
218
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R180C7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.58
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STW28N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW28N65M2-DG
PREȚ UNIC
1.79
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTH24N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
268
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTH24N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.98
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R165CPFKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
200
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R165CPFKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.54
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
TK20N60W,S1VF
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
15
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK20N60W,S1VF-DG
PREȚ UNIC
2.83
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTD4804NAT4G
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
FDMT800120DC
MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
FQD10N20TM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
FQI11N40TU
MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK