Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STW28N65M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STW28N65M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
RFQ Online
12879541
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STW28N65M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1440 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
170W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
STW28
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
STx28N65M2
Informații suplimentare
Alte nume
497-15575-5
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCH190N65F-F155
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
415
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH190N65F-F155-DG
PREȚ UNIC
2.95
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPW65R190C7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
220
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW65R190C7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.69
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FCH170N60
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
11513
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH170N60-DG
PREȚ UNIC
2.97
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFH50N60P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
386
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH50N60P3-DG
PREȚ UNIC
5.53
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFH30N60X
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
107
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH30N60X-DG
PREȚ UNIC
6.12
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STW27NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
STB16NS25T4
MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
STW12NK60Z
MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
STD40NF10
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK