Numărul de produs al producătorului:
IPU60R600C6BKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPU60R600C6BKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12805751
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPU60R600C6BKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPU60R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000931534
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STU12N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STU12N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.68
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPI029N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
IRFR5305CPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
IPD50R950CEAUMA1
CONSUMER
