Numărul de produs al producătorului:
STU12N60M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STU12N60M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventar:
12877092
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STU12N60M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
538 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
85W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251 (IPAK)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
STU12
Informații suplimentare
Alte nume
497-16024-5
-497-16024-5
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPS80R600P7AKMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPS80R600P7AKMA1-DG
PREȚ UNIC
0.69
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STD11N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
STP12NM50
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
STP5N120
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
