Numărul de produs al producătorului:
IPI029N06NAKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI029N06NAKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
61 Piese Noi Originale În Stoc
12805752
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
NeoV
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI029N06NAKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 75µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI029
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPI029N06N
SP000962134
2156-IPI029N06NAKSA1
INFINFIPI029N06NAKSA1
IPI029N06N-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR5305CPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
IPD50R950CEAUMA1
CONSUMER
IPL60R365P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
