Numărul de produs al producătorului:
IPS65R650CEAKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPS65R650CEAKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 700 V 10.1A (Tc) 86W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12804222
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPS65R650CEAKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
86W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPS65R650
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001422888
INFINFIPS65R650CEAKMA1
2156-IPS65R650CEAKMA1
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPS70R600P7SAKMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
177
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPS70R600P7SAKMA1-DG
PREȚ UNIC
0.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7322D1PBF
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
IRF1010ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IPW60R018CFD7XKSA1
MOSFET N CH
